? ? ?據韓國(guo)(guo)中(zhong)央日報8月9日報道(dao)，中(zhong)國(guo)(guo)在(zai)存儲(chu)芯片領(ling)域展(zhan)開(kai)了(le)空襲。在(zai)被視為半導體起源地(di)的美國(guo)(guo)硅谷舉行(xing)的半導體大(da)會(hui)上(shang)，中(zhong)國(guo)(guo)長(chang)江存儲(chu)科技有限責任公司(YMTC)宣布(bu)，將從明年開(kai)始向市(shi)場供應(ying)32層三維NAND閃存(以下簡稱NAND)，并公開(kai)了(le)自主三維NAND量(liang)產技術。
? ? 中(zhong)國(guo)(guo)長江存(cun)(cun)儲當(dang)地時間8月7日參(can)加在(zai)美國(guo)(guo)圣克(ke)拉拉會議中(zhong)心舉行的閃存(cun)(cun)峰(feng)會(Flash Memory Summit)，公(gong)開了(le)(le)32層三(san)維(wei)(wei)NAND樣(yang)品。該公(gong)司表示，產(chan)(chan)品將從今年10月開始(shi)進行試(shi)投產(chan)(chan)，明年啟動(dong)大(da)規模量產(chan)(chan)。在(zai)此之前，長江存(cun)(cun)儲曾在(zai)去年公(gong)開三(san)維(wei)(wei)NAND技(ji)術，宣布將在(zai)一年后的今年年末啟動(dong)量產(chan)(chan)。中(zhong)國(guo)(guo)作為全(quan)球最(zui)大(da)的存(cun)(cun)儲芯片(pian)市場，中(zhong)國(guo)(guo)企業(ye)宣布“自主生產(chan)(chan)”給全(quan)球存(cun)(cun)儲芯片(pian)市場帶來了(le)(le)巨大(da)沖(chong)擊。但(dan)當(dang)時業(ye)界普遍認為中(zhong)國(guo)(guo)不可能輕易成功(gong)實現(xian)量產(chan)(chan)。
? ? 報道(dao)稱，當時中國沒(mei)有任何(he)生(sheng)產存(cun)(cun)儲(chu)芯片的(de)基礎，長(chang)江存(cun)(cun)儲(chu)又是一家(jia)(jia)2016年(nian)剛(gang)剛(gang)成(cheng)立(li)(li)的(de)新生(sheng)企業。但現(xian)在看來，這家(jia)(jia)企業似乎要(yao)打破人們(men)的(de)預期，成(cheng)立(li)(li)短短三(san)年(nian)后就將(jiang)向市場推出(chu)中國生(sheng)產的(de)存(cun)(cun)儲(chu)芯片。長(chang)江存(cun)(cun)儲(chu)是中國國營半導(dao)體公(gong)司清華紫光集(ji)團的(de)子公(gong)司，得(de)到(dao)了中國政府的(de)補助和稅(shui)收(shou)減免等全面(mian)支持。
? ? 業(ye)界認(ren)為，長江存(cun)儲的技術已經(jing)發(fa)展到64層三(san)(san)維NAND閃存(cun)階段。據了(le)解，該公司正在試產(chan)64層三(san)(san)維NAND閃存(cun)并向本國IT企(qi)業(ye)供貨。
? ? 具備記憶和儲(chu)(chu)存(cun)功能(neng)的NAND和DRAM是典型的存(cun)儲(chu)(chu)芯(xin)片，中國首先(xian)將目光盯向(xiang)了存(cun)儲(chu)(chu)芯(xin)片領域行業壁(bi)壘相對較低的NAND市場。現在(zai)三星(xing)電子和SK海力(li)士主要生(sheng)產(chan)第四代64-72層三維(wei)NAND閃(shan)(shan)(shan)存(cun)，與長江存(cun)儲(chu)(chu)計劃明年(nian)投產(chan)的第二代三維(wei)NAND閃(shan)(shan)(shan)存(cun)的市場需求不(bu)同。在(zai)NAND閃(shan)(shan)(shan)存(cun)產(chan)品中，層數越(yue)多，所需要的技術(shu)力(li)量越(yue)強。
? ? 韓國國內(nei)半導(dao)體(ti)行(xing)業認為，雖(sui)然韓國半導(dao)體(ti)不會立刻受(shou)到(dao)打(da)擊，但到(dao)明年下半年市場也會受(shou)到(dao)影響。長江存儲從公開32層三維(wei)(wei)NAND閃存技術(shu)到(dao)產(chan)品(pin)投產(chan)只(zhi)用了1年半的時間，按(an)照這個速(su)度(du)下去，該公司今年年初(chu)試產(chan)的64層三維(wei)(wei)NAND完(wan)全有望在明年年末(mo)投產(chan)。
? ? 韓(han)國(guo)業界認為，現(xian)在韓(han)國(guo)在存(cun)儲芯片領(ling)域的技(ji)術領(ling)先中國(guo)三(san)(san)至四(si)年(nian)。長江(jiang)存(cun)儲計劃投產(chan)的32層(ceng)三(san)(san)維NAND閃存(cun)是(shi)三(san)(san)星電子2014年(nian)8月推出的產(chan)品。另外(wai)，三(san)(san)星早在2016年(nian)12月就開始量產(chan)64層(ceng)三(san)(san)維NAND閃存(cun)，現(xian)在三(san)(san)星電子已經具備(bei)96層(ceng)三(san)(san)維NAND閃存(cun)技(ji)術，SK海力(li)士也已經具備(bei)72層(ceng)三(san)(san)維NAND技(ji)術。
? ? 長江存儲在本屆半導體大會上公(gong)(gong)開了自主研發的(de)“Xtacking”三維NAND閃存量產技術。該(gai)公(gong)(gong)司首席執行(xing)官(CEO)楊(yang)士寧表示“大部分企(qi)業產品(pin)的(de)數(shu)據(ju)傳(chuan)輸速度都在1Gbps左右，行(xing)業最(zui)頂(ding)級的(de)企(qi)業也只有(you)1.4Gbps”，“但我們使(shi)用Xtacking技術，傳(chuan)輸速度可以達(da)到3Gbps”，主張(zhang)本公(gong)(gong)司產品(pin)的(de)數(shu)據(ju)傳(chuan)輸速度可以比行(xing)業最(zui)頂(ding)級的(de)三星電(dian)子(zi)快一倍。
? ? 報(bao)道稱，韓國專(zhuan)家們普遍認為(wei)這種(zhong)技(ji)術很難真正實現。一般來說，生產NAND閃存需要(yao)1個(ge)(ge)晶元，但Xtacking技(ji)術需要(yao)兩個(ge)(ge)晶元。這就意味(wei)著，Xtacking工(gong)(gong)程(cheng)(cheng)(cheng)比普通工(gong)(gong)程(cheng)(cheng)(cheng)耗(hao)費的成本(ben)更高。極東大學(xue)半(ban)導(dao)體設備工(gong)(gong)程(cheng)(cheng)(cheng)學(xue)教授崔才成(音)表示“這種(zhong)工(gong)(gong)程(cheng)(cheng)(cheng)需要(yao)加入將兩個(ge)(ge)芯(xin)片連(lian)接(jie)在一起的程(cheng)(cheng)(cheng)序，不(bu)僅成本(ben)高，還會耗(hao)費更多(duo)的時間(jian)，很難實現批量(liang)生產”。
? ? 韓(han)(han)媒認(ren)為(wei)無論Xtacking技(ji)術(shu)具有多大(da)可(ke)信度(du)，中(zhong)國在NAND閃(shan)存上的(de)(de)(de)追(zhui)趕速度(du)都對韓(han)(han)國形成了(le)威脅。韓(han)(han)國專家們一致認(ren)為(wei)，韓(han)(han)國若(ruo)想(xiang)擺脫中(zhong)國的(de)(de)(de)追(zhui)擊保持世界第一的(de)(de)(de)位置，就必須(xu)采取“超大(da)差距(ju)”戰略。漢陽(yang)大(da)學(xue)電子復合工程學(xue)樸在勤教(jiao)授表示(shi)“在以(yi)人(ren)工智能(neng)(neng)(AI)、5G、云技(ji)術(shu)等為(wei)代表的(de)(de)(de)第四(si)次工業革命時(shi)代，高性能(neng)(neng)和大(da)容量存儲芯片的(de)(de)(de)需求將大(da)大(da)增加”，“為(wei)了(le)把擁有強大(da)資源的(de)(de)(de)中(zhong)國甩在身后，我們必須(xu)占領絕(jue)對技(ji)術(shu)高地，使其無從(cong)追(zhui)趕”。
? ? 三星電子計劃在京畿道平澤市(shi)投資超過30萬億韓元建造(zao)新的半(ban)導體(ti)流(liu)水(shui)線。SK海力士也(ye)計劃投資15萬億韓元在京畿道利川市(shi)建造(zao)半(ban)導體(ti)工廠。
? ? 最(zui)近，三星電子存儲器項目(mu)閃(shan)存開發室(shi)長(副(fu)總裁)庚界賢(音(yin))表示(shi)“我(wo)們將(jiang)擴(kuo)大(da)V NAND流(liu)水線，加速推動(dong)新一代(dai)存儲芯片市場(chang)的變化”。
? ? 另外，它們還將強化與中小合(he)(he)作企(qi)(qi)(qi)業(ye)和學(xue)(xue)術(shu)界的合(he)(he)作。SK海力士實施了“技(ji)術(shu)創新企(qi)(qi)(qi)業(ye)”制度(du)，通過成立專門工作團(tuan)隊(dui)(TF)向被列(lie)為技(ji)術(shu)創新企(qi)(qi)(qi)業(ye)的中小企(qi)(qi)(qi)業(ye)提供(gong)研發、制造和采購(gou)等支持；三星(xing)也(ye)在8月8日表示(shi)，將把產學(xue)(xue)合(he)(he)作規模從(cong)現在的每年400億韓(han)元擴大到(dao)一年1000億韓(han)元的水平。
? ? 韓(han)(han)(han)國各(ge)大企業都正(zheng)費盡心思拉開在(zai)存儲芯片領域與中國的(de)差距，同(tong)時，韓(han)(han)(han)國政府也開始著手(shou)培(pei)育相對薄弱的(de)非內存半導體。韓(han)(han)(han)國產業通商資源部部長(chang)白云揆7月(yue)30日表示“我(wo)們將在(zai)未來10年投(tou)資1.5萬億韓(han)(han)(han)元支持(半導體產業)”。
? ? 為此(ci)，韓國在7月31日成立“System Semiconductor設計援助中(zhong)心”，計劃(hua)對非(fei)內存半導體(ti)的技術開發、投資(zi)招商(shang)、市(shi)場營(ying)銷(xiao)等從創業(ye)到(dao)成長的全(quan)部過程(cheng)提供全(quan)面支持。