諾思副總裁蔣(jiang)浩在(zai)展會上說，自2014年開始大批量交付(fu)以來(lai)，諾思已(yi)經向全(quan)球100余家客戶供應了射頻濾波(bo)芯片近1億顆，廣(guang)泛應用于各類3G/4G無線智能終端、導(dao)航(hang)終端及設備、基站、衛星通訊、物聯網終端等領域。

蔣浩談到(dao)(dao)，公司研發團隊在(zai)FBAR領(ling)域17年持續、不(bu)間斷努力(li)(li)，不(bu)斷提升產品(pin)設(she)計能(neng)(neng)力(li)(li)和制造工藝能(neng)(neng)力(li)(li)。截止到(dao)(dao)今天，公司仍然是(shi)國內唯(wei)一掌握自主知識產權，唯(wei)一實(shi)現大批(pi)量交(jiao)付，且各(ge)項性能(neng)(neng)指(zhi)標全部(bu)達(da)(da)到(dao)(dao)甚(shen)至(zhi)部(bu)分(fen)超(chao)過國際同(tong)行業水(shui)平(ping)的公司。2019年諾(nuo)思(si)工廠(chang)交(jiao)付能(neng)(neng)力(li)(li)將(jiang)達(da)(da)到(dao)(dao)20億顆/年。

本次在展會(hui)上諾思發(fa)布(bu)(bu)的(de)雙工器，預計將(jiang)在2018年12月大批量交付(fu)市場(chang)。同時(shi)蔣浩(hao)還(huan)透露，今年年底(di)前諾思還(huan)將(jiang)發(fa)布(bu)(bu)一款高功率全頻(pin)段(duan)濾(lv)波器產(chan)品和針對5G新頻(pin)段(duan)的(de)濾(lv)波器樣品。

RSFD1702C采(cai)用(yong)最新(xin)的(de)技術和工藝，保(bao)證濾(lv)波器具(ju)(ju)有優良的(de)上行(xing)(xing)/下行(xing)(xing)通(tong)帶(dai)插(cha)損(sun)性能(neng)。上行(xing)(xing)通(tong)帶(dai)整體插(cha)損(sun)性能(neng)優于(yu)-2.4dB, 通(tong)帶(dai)中央插(cha)損(sun)-1.1dB，同時具(ju)(ju)有較高(gao)的(de)功率容量。下行(xing)(xing)通(tong)帶(dai)中央插(cha)損(sun)約(yue)-1.5dB, 同時具(ju)(ju)有較高(gao)的(de)功率容量，可應對基站應用(yong)的(de)需求。同時，該款產品(pin)具(ju)(ju)有較高(gao)的(de)上行(xing)(xing)/下行(xing)(xing)之間的(de)隔離度(du)性能(neng)，達(da)到-55dB以(yi)(yi)下。該產品(pin)還采(cai)用(yong)了先進的(de)芯片倒(dao)裝封裝工藝，產品(pin)尺寸1.8mm x 1.4mm x 0.65mm，以(yi)(yi)適用(yong)于(yu)客戶對系(xi)統空間不(bu)斷提高(gao)的(de)要求。

RSFD2502C具備了FBAR濾(lv)波器高滾降(jiang)，高功率，1000V以上的(de)(de)(de)(de)防靜電擊穿(chuan)能力（ESD）的(de)(de)(de)(de)特點，與(yu)此同時(shi)以更小尺寸為客戶節省更多的(de)(de)(de)(de)集成空間。性能方面RSFD2502C的(de)(de)(de)(de)發(fa)射(she)(she)端(duan)（Tx Port）提供(gong)(gong)(gong)了右(you)側的(de)(de)(de)(de)高抑制度，全(quan)溫通(tong)(tong)帶內(nei)（-20℃~+85℃）低插入損耗(hao)，主要體(ti)現在工(gong)作狀態下高耐受功率的(de)(de)(de)(de)特性。接收端(duan)（Rx Port）提供(gong)(gong)(gong)了全(quan)溫通(tong)(tong)帶內(nei)（-20℃~+85℃）的(de)(de)(de)(de)低插入損耗(hao)和(he)發(fa)射(she)(she)端(duan)（Tx Port）的(de)(de)(de)(de)高隔離度，為應用環境提供(gong)(gong)(gong)了優秀的(de)(de)(de)(de)靈敏度。