? ? 還(huan)有日本丸和(Maruwa)、貴彌功(NCC)、NIC；美國基美（KEMET）、Cal-Chip、約翰遜(Johanson)、威世（VISHAY）、Venkel、ATCeramics；中國臺灣禾伸堂(HEC)等等。
? ? 各廠商電容命名規則：
PHYCOMP（飛元，隸(li)屬于國(guo)巨集團YAGEO)的品(pin)牌）
? ??
? ? MLCC制(zhi)作工藝(yi)流程：
1、原(yuan)材料——陶瓷(ci)粉配料關鍵(jian)的部分(fen)(原(yuan)材料決(jue)定MLCC的性能)；2、球(qiu)(qiu)磨——通過球(qiu)(qiu)磨機(大(da)約(yue)經過2-3天時間球(qiu)(qiu)磨將瓷份(fen)配(pei)料顆粒直徑達到微米(mi)級)；3、配料——各種配料按(an)照一定比例混(hun)合(he)；4、和漿——加添(tian)加劑(ji)將混(hun)合材料(liao)和成(cheng)糊狀；5、流(liu)沿——將(jiang)糊(hu)狀漿(jiang)體(ti)均勻(yun)涂在(zai)薄(bo)膜上(薄(bo)膜為特種材料(liao)，保證(zheng)表面平整)；6、印(yin)刷電極——將電極材料以一定規(gui)則印(yin)刷到(dao)流(liu)沿后(hou)的糊狀漿體上(電極層的錯位在這(zhe)個(ge)工藝上保證(zheng)，不同MLCC的尺寸由該工藝保證(zheng))；對卷狀介電體(ti)板涂敷金(jin)屬焊(han)料，以作為內部電極。近年來，多(duo)層陶瓷電容器以Ni內部電極為主(zhu)。所以，將對介電體板涂敷(fu)Ni焊料。
7、疊層——將印刷好電(dian)極的(de)流沿(yan)漿體塊依照容(rong)值(zhi)的(de)不同疊加(jia)起來(lai)，形成電(dian)容(rong)坯體版(具(ju)體尺(chi)寸(cun)的(de)電(dian)容(rong)值(zhi)是(shi)由不同的(de)層數確定(ding)的(de))；
8、層壓(ya)——使多層的坯(pi)體版(ban)能夠結合緊密(mi)；
對層疊板施加壓(ya)力，壓(ya)合成一體。在此之前的工序(xu)為了防止異物(wu)的混(hun)入(ru)，基(ji)本(ben)都無塵作業(ye)。
9、切割——將坯(pi)體版切割成(cheng)單體的坯(pi)體；10、排(pai)膠(jiao)——將粘合原(yuan)材料的粘合劑用390攝氏(shi)度的高溫將其(qi)排(pai)除；11、焙燒(shao)——用1300攝氏度的(de)高溫(wen)將陶瓷粉燒(shao)結成陶瓷材料形成陶瓷顆粒(該過程持續幾天時間，如(ru)果在(zai)焙燒(shao)的(de)過程中溫(wen)度控制不好就容易產生電容? ? ? ? 的(de)脆(cui)裂)；用1000度(du)～1300度(du)左(zuo)右的(de)(de)溫度(du)對切割后的(de)(de)料片進行焙(bei)燒。通過焙(bei)燒，陶瓷(ci)和(he)內(nei)部(bu)電(dian)極將成(cheng)為一(yi)體。
12、倒角(jiao)——將長方(fang)體(ti)的(de)棱角(jiao)磨掉(diao)，并(bing)且將電(dian)極露出來，形成(cheng)倒角(jiao)陶瓷顆粒(li)；
13、封(feng)(feng)端(duan)(duan)——將露出電極(ji)的倒角陶瓷(ci)顆粒(li)豎立起來用銅或(huo)者銀材料將斷頭封(feng)(feng)起來形成銅(或(huo)銀)電極(ji)，并且鏈接粘合好電極(ji)版形成封(feng)(feng)端(duan)(duan)陶瓷(ci)顆粒(li)(該工藝(yi)? ? ? 決定電容的)；14、燒端(duan)(duan)——將封端(duan)(duan)陶瓷顆粒放到高溫爐里面將銅端(duan)(duan)(或銀端(duan)(duan))電(dian)(dian)極燒結(jie)使其與電(dian)(dian)極版接觸縝密；形成陶瓷電(dian)(dian)容初體；15、鍍(du)(du)鎳——將陶瓷(ci)電容(rong)初體電極(ji)端(duan)(銅(tong)端(duan)或(huo)(huo)銀(yin)(yin)端(duan))電鍍(du)(du)上一層(ceng)薄薄的(de)鎳層(ceng)，鎳層(ceng)一定要(yao)完(wan)全覆蓋電極(ji)端(duan)銅(tong)或(huo)(huo)銀(yin)(yin)，形成陶瓷(ci)電容(rong)次體(該鎳層(ceng)主(zhu)要(yao)是(shi)屏蔽電極(ji)銅(tong)或(huo)(huo)銀(yin)(yin)與最外層(ceng)的(de)錫發生相互滲(shen)透，導致電容(rong)老(lao)衰)；16、鍍(du)錫(xi)——在(zai)鍍(du)好鎳后(hou)的陶瓷(ci)電容次(ci)體上鍍(du)上一(yi)層(ceng)錫(xi)想成陶瓷(ci)電容成體(錫(xi)是易焊接材料，鍍(du)錫(xi)工藝決定電容的可焊性(xing))；完(wan)成外部電極的燒制后(hou)，還(huan)要在其表面鍍一層Ni及Sn。一般采用電解電鍍方式，鍍Ni是為(wei)(wei)了提(ti)高信賴性，鍍Sn是為(wei)(wei)了易于貼(tie)(tie)裝(zhuang)。貼(tie)(tie)片電容在這(zhe)道工序基(ji)本完(wan)成。
17、測(ce)試——該流(liu)(liu)程必測(ce)的四個指(zhi)標：耐電(dian)(dian)壓(ya)、電(dian)(dian)容(rong)量、DF值(zhi)損(sun)耗(hao)、漏(lou)電(dian)(dian)流(liu)(liu)Ir和絕緣(yuan)電(dian)(dian)阻Ri(該工藝區(qu)分電(dian)(dian)容(rong)的耐電(dian)(dian)壓(ya)值(zhi)，電(dian)(dian)容(rong)的精確度等) 。