? ? 我愛音頻網近期(qi)拆解了一款Urbanista愛班(ban)London真(zhen)無線降噪(zao)耳(er)機(ji)，這是(shi)一個(ge)來自瑞典的音頻品牌(pai)，產(chan)品以(yi)城市命(ming)名比較(jiao)有特色。耳(er)機(ji)設計簡約、功能(neng)齊全(quan)，是(shi)一款旗(qi)艦級(ji)TWS降噪(zao)耳(er)機(ji)，經拆解發現用料較(jiao)好，在電路設計上采用了多款深(shen)圳密勒半導體出品的功率(lv)器件，下面一起來了解一下。
? ??Urbanista愛班致(zhi)力于研發兼具(ju)時(shi)尚外觀設計與功(gong)能多樣性為(wei)一體的音(yin)頻產品，其耳(er)機產品的外觀設計都比較簡約(yue)，配色也偏厚重一點(dian)，有自己的品牌特色。這款London真無(wu)線(xian)降(jiang)噪耳(er)機支(zhi)持主動(dong)降(jiang)噪功(gong)能，有環境音(yin)模(mo)式，支(zhi)持雙麥通話降(jiang)噪、入(ru)耳(er)檢測和觸控(kong)；充電盒支(zhi)持無(wu)線(xian)充電功(gong)能，開蓋即(ji)連，功(gong)能非常齊全。
? ? 充(chong)(chong)電(dian)盒內(nei)部主電(dian)路(lu)展示，采用Type-C接口輸入電(dian)源，內(nei)置鈺泰(tai)ETA9697充(chong)(chong)電(dian)倉二合一(yi)(yi)解決芯片負責(ze)電(dian)池的充(chong)(chong)放(fang)電(dian)、酷珀微CP2031芯片負責(ze)無線充(chong)(chong)電(dian)接收，還有(you)一(yi)(yi)顆(ke)華大半(ban)導體的MCU負責(ze)整機(ji)控制。圖中紅框圈(quan)起來的IC即(ji)為密勒半(ban)導體的功率器件(jian)，起重(zhong)要作用。
? ? 絲印(yin)SL的IC共有三顆，是密勒半導體的MS1D140肖特二極(ji)管，SOD-123封裝，40V耐壓，工作電(dian)流(liu)1A 。
? ? 密(mi)勒半導(dao)體MS1D140詳細(xi)參數。
? ? 絲印(yin)P2038的(de)兩個PMOS，用于(yu)控制耳機(ji)充(chong)電(dian)，是密(mi)勒(le)半導體(ti)的(de)MP20T38MR，規格為 20V、4.5A，RDSON=38mΩ，比市場上的(de)通用型(xing)號2301電(dian)流(liu)更大，功耗更低。
? ? 密(mi)勒半導體(ti)(ti)MP20T38MR詳(xiang)細(xi)參(can)數。密(mi)勒MOS產品命名與MARK（物料本體(ti)(ti)絲印）體(ti)(ti)現兩個產品參(can)數并(bing)盡(jin)量做(zuo)到統一 ， 第(di)一 ；Mark首字母(mu)體(ti)(ti)現N/P型(xing) MOS，避免SMT操作的(de)(de)將兩種邏輯完全相反的(de)(de)器件(jian)造成的(de)(de)混料，第(di)二；命名與MARK體(ti)(ti)現阻抗（Rdson）更方便與直觀的(de)(de)輔助研發(fa)工程選型(xing)評估功耗。
? ? 耳機為柄式入耳設計，支持(chi)主動降噪功能，經(jing)拆解發現采用的是(shi)混合降噪方案，降噪芯片是(shi)恒玄BES2300。內部電(dian)路上同樣有來自密勒半導體的功率(lv)器件(jian)。
? ? 耳機采用(yong)條形(xing)主板，一上(shang)一下兩(liang)顆麥克(ke)風在通(tong)話時可(ke)組成雙(shuang)麥陣(zhen)列用(yong)于通(tong)話降噪功(gong)(gong)能。圖中(zhong)紅(hong)框圈(quan)起來的(de)IC即為(wei)密勒半導體(ti)的(de)功(gong)(gong)率器件。
? ? 絲印P36的PMOS，是密勒半導(dao)體的MP20N036，20V耐壓(ya)，1.8V驅動時(shi)，導(dao)通(tong)電阻RDSON為360mΩ，采用DFN1006-3（1.0mm*0.6mm*0.5mm）封(feng)裝(zhuang)。
? ? 密(mi)勒半導(dao)體MP20N036詳細參數
? ?主板另一(yi)側電路展示，主要(yao)是(shi)藍(lan)牙主控芯片的外置(zhi)電路。圖中紅框圈起來的IC也是(shi)密勒半導體的功(gong)率器件。
? ? ?絲印N13的NMOS，密(mi)勒半導體MN20N013，20V耐壓(ya)，1.8V驅動(dong)時，導通電阻RDSON為(wei)130mΩ，采(cai)用(yong)DFN1006-3（1.0mm*0.6mm*0.5mm）封裝(zhuang)，工作電流(liu)1.0A。
? ? 密勒半(ban)導體MN20N013詳細參(can)數。
? ? 深圳密(mi)勒(le)半導體專注于半導體分(fen)立器件領域，針對TWS行業推出(chu)多款以(yi)DFN2020、DFN1212、DFN1006（0402）、DFN0603（0201）為代(dai)表的小(xiao)尺寸封裝 BJT、MOS、SBD、ZENER、TVS、ESD系(xi)列產品，典型(xing)高度0.5mm。
? ? 密勒半導體推出的TWS功率器件相比傳統SOT23、SOT523、SOT723等封裝方式，封裝尺寸更小，MSD濕敏等級更高（穿戴產品敏感參數），功率密度更高，
MOS(Rdson)、SBD(VF)、BJT(Vces)、(Vc) TVS/ESD等參數更低，由于(yu)DFN相對(dui)SOT系(xi)列封裝是(shi)無引腳封裝，寄生(sheng)的(de)阻抗、電(dian)感、電(dian)容(rong)更小（降低RC參數），更高速更靈敏實現(xian)信(xin)號的(de)切(qie)換。
? ? 關于密勒半導體(ti)
? ? 深圳密勒半導(dao)體科技(ji)有限公(gong)司(si)（millersemi）專業(ye)從事半導(dao)體功率器(qi)件(jian)的研發設(she)計(ji)，工藝升級與(yu)市場銷售。公(gong)司(si)核心(xin)團隊來自于業(ye)界一線芯片設(she)計(ji)，晶圓(yuan)制造與(yu)封裝代工廠商并平均有15年以(yi)上(shang)從業(ye)經驗。
